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G3R75MT12D

G3R75MT12D

G3R75MT12D

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

G3R75MT12D Technisches Datenblatt

compliant

G3R75MT12D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.13000 $11.13
500 $11.0187 $5509.35
1000 $10.9074 $10907.4
1500 $10.7961 $16194.15
2000 $10.6848 $21369.6
2500 $10.5735 $26433.75
1190 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 41A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 2.69V @ 7.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 15 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1560 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 207W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86581
FDMS86581
$0 $/Stück
NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/Stück
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/Stück
FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/Stück

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