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G15N06K

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N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD

G15N06K Technisches Datenblatt

compliant

G15N06K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
2497 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 763 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SPI15N60C3
RSL020P03TR
FCD2250N80Z
FCD2250N80Z
$0 $/Stück
MMFTN3404A
SIHA6N65E-E3
SIHA6N65E-E3
$0 $/Stück
STB27NM60ND
2N7002T-7-F
FCP190N65F
FCP190N65F
$0 $/Stück
PHT6N06LT,135
PHT6N06LT,135
$0 $/Stück

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