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G2312

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G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

G2312 Technisches Datenblatt

compliant

G2312 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
2990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 780 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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