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G50N03J

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N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G50N03J Technisches Datenblatt

compliant

G50N03J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.65000 $0.65
500 $0.6435 $321.75
1000 $0.637 $637
1500 $0.6305 $945.75
2000 $0.624 $1248
2500 $0.6175 $1543.75
4939 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1255 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/Stück
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/Stück
RF4G100BGTCR
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/Stück
IXKT70N60C5-TRL
IXKT70N60C5-TRL
$0 $/Stück

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