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GT100N12M

GT100N12M

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N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

GT100N12M Technisches Datenblatt

compliant

GT100N12M Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.78000 $1.78
500 $1.7622 $881.1
1000 $1.7444 $1744.4
1500 $1.7266 $2589.9
2000 $1.7088 $3417.6
2500 $1.691 $4227.5
800 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3050 pF @ 60 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHH11N60E-T1-GE3
FDPF20N50FT
FDPF20N50FT
$0 $/Stück
BUK764R3-40B,118
BUK764R3-40B,118
$0 $/Stück
IXFN44N100P
IXFN44N100P
$0 $/Stück
STP60NF10
STP60NF10
$0 $/Stück
SIR474DP-T1-GE3
DMN3009LFVW-13
AUIRF2804S-7P
NTTFS4941NTAG
NTTFS4941NTAG
$0 $/Stück
FDS7066ASN3

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