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GT105N10T

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N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

GT105N10T Technisches Datenblatt

compliant

GT105N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.42000 $1.42
500 $1.4058 $702.9
1000 $1.3916 $1391.6
1500 $1.3774 $2066.1
2000 $1.3632 $2726.4
2500 $1.349 $3372.5
25 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTLJS5D0N03CTAG
NTLJS5D0N03CTAG
$0 $/Stück
IRFH8303TRPBF
SQJA84EP-T1_GE3
NTTFS002N04CTAG
NTTFS002N04CTAG
$0 $/Stück
NVTFWS015N04CTAG
NVTFWS015N04CTAG
$0 $/Stück
SI7806ADN-T1-GE3
RHK003N06FRAT146

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