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MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 91W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIJA52ADP-T1-GE3
BUK9Y12-100E,115
PSMN9R0-30YL,115
PSMN9R0-30YL,115
$0 $/Stück
APT41M80B2
SCT4062KW7HRTL
FDP060AN08A0
FDP060AN08A0
$0 $/Stück
FDB8160
NTTFS4941NTWG
NTTFS4941NTWG
$0 $/Stück
IXTA1N100
IXTA1N100
$0 $/Stück

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