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BSC019N02KSGAUMA1

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MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

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BSC019N02KSGAUMA1 Preise und Bestellung

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5,000 $0.99657 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13000 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDB060AN08A0
FDB060AN08A0
$0 $/Stück
SSR2N60B
SI1308EDL-T1-BE3
RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A
$0 $/Stück
RVQ040N05HZGTR
DMP2047UCB4-7

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