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BSC037N08NS5ATMA1

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MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

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BSC037N08NS5ATMA1 Preise und Bestellung

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5,000 $1.13585 -
7975 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 72µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

VN2450N8-G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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FCI7N60
IXFH26N60P
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IXTP56N15T
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AUIRF7669L2TR
GC11N65M
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SQ4401EY-T1_GE3

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