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BSC0504NSIATMA1

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MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON

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BSC0504NSIATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.39018 -
10,000 $0.37551 -
25,000 $0.37338 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta), 72A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 960 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-6
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RTR030P02HZGTL
CSD17578Q3A
CSD17578Q3A
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CSD13303W1015
IXTA48N20T
IXTA48N20T
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IXFQ60N60X
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IXFH52N30P
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