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BSC098N10NS5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

compliant

BSC098N10NS5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.64006 -
10,000 $0.61600 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 36µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIR692DP-T1-RE3
IRFR9020TRLPBF
NTR0202PLT1G
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$0 $/Stück
IRF624PBF-BE3
IXFH52N50P2
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$0 $/Stück
NTD24N06L-001
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$0 $/Stück
NVB6411ANT4G
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$0 $/Stück
SIHW33N60E-GE3

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