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BSC190N12NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

compliant

BSC190N12NS3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.77030 -
10,000 $0.74467 -
1726 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 42µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2300 pF @ 60 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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