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BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

compliant

BSO615CGHUMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.45723 -
5,000 $0.43436 -
12,500 $0.41804 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A, 2A
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI1023X-T1-E3
SI5920DC-T1-GE3
SI7501DN-T1-E3
IRF7504TRPBF
NTZD3155CT1H
NTZD3155CT1H
$0 $/Stück
MP6K11TCR
MP6K11TCR
$0 $/Stück
EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR
$0 $/Stück

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