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BSO615N

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MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N Technisches Datenblatt

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BSO615N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/Stück
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/Stück
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/Stück
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
SI6983DQ-T1-E3
SI6975DQ-T1-GE3

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