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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 33 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 875 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4-21 |
| Paket / Koffer | TO-261-4, TO-261AA |
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