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AOB20C60L

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MOSFET N-CH 600V 20A TO263

AOB20C60L Technisches Datenblatt

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AOB20C60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3440 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 463W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STF26NM60N-H
NVD5414NT4G
NVD5414NT4G
$0 $/Stück
IRF7807VD1
IRF2903ZSTRLP
BSP125 E6433
IRF7521D1
IRFBC30AS
IRFBC30AS
$0 $/Stück
IXFH13N100
IXFH13N100
$0 $/Stück

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