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IXFH13N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD

IXFH13N100 Technisches Datenblatt

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IXFH13N100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $13.37567 $401.2701
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

BUZ73E3046XK
NTD60N02RG
NTD60N02RG
$0 $/Stück
IRF1404SPBF
STW21NM50N
STW21NM50N
$0 $/Stück
DMN3052L-7
IPI12CNE8N G
SI8405DB-T1-E1
APT9F100S

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