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BSZ110N06NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON

compliant

BSZ110N06NS3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.31556 -
10,000 $0.30388 -
25,000 $0.29750 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 23µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFX32N80P
IXFX32N80P
$0 $/Stück
NTD4813N-1G
NTD4813N-1G
$0 $/Stück
BUK652R6-40C,127
BUK652R6-40C,127
$0 $/Stück
NTMFS4849NT1G
NTMFS4849NT1G
$0 $/Stück
IXFQ72N30X3
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$0 $/Stück
SI7478DP-T1-GE3
BUK961R5-30E,118
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$0 $/Stück

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