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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 45A (Tj) |
rds ein (max) @ id, vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
vgs(th) (max) @ ID | 5.55V @ 20mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 124nC @ 15V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 3.68nF @ 800V |
Leistung - max. | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Chassis Mount |
Paket / Koffer | Module |
Lieferantengerätepaket | AG-EASY1B-2 |
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