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IMZA65R057M1HXKSA1

IMZA65R057M1HXKSA1

IMZA65R057M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

compliant

IMZA65R057M1HXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $16.62000 $16.62
500 $16.4538 $8226.9
1000 $16.2876 $16287.6
1500 $16.1214 $24182.1
2000 $15.9552 $31910.4
2500 $15.789 $39472.5
86 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 18V
rds ein (max) @ id, vgs 74mOhm @ 16.7A, 18V
vgs(th) (max) @ ID 5.7V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 18 V
vgs (max) +20V, -2V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 930 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 133W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-4-3
Paket / Koffer TO-247-4
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Zugehörige Teilenummer

FKI10531
FKI10531
$0 $/Stück
PH4840S,115
PH4840S,115
$0 $/Stück
NTE2384
NTE2384
$0 $/Stück
NVMFS5C673NLWFAFT1G
NVMFS5C673NLWFAFT1G
$0 $/Stück
FQB5N90TM
FQB5N90TM
$0 $/Stück
IXTQ170N10P
IXTQ170N10P
$0 $/Stück
BUK9Y12-40E,115
DMN65D8LT-7
PSMNR58-30YLHX

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