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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 18V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 74mOhm @ 16.7A, 18V |
| vgs(th) (max) @ ID | 5.7V @ 5mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 28 nC @ 18 V |
| vgs (max) | +20V, -2V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 930 pF @ 400 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 133W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4-3 |
| Paket / Koffer | TO-247-4 |
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