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IPA60R160P6XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

nicht konform

IPA60R160P6XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.76000 $3.76
10 $3.38000 $33.8
100 $2.81100 $281.1
500 $2.31780 $1158.9
1,000 $1.98898 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 750µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2080 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

VN2450N3-G
SSS6N70A
STW7N105K5
STW7N105K5
$0 $/Stück
PSMN015-100B,118
NTTFS4C53NTAG
NTTFS4C53NTAG
$0 $/Stück
IXTA90N20X3
IXTA90N20X3
$0 $/Stück
FDP8874
FDP8874
$0 $/Stück
STFI7LN80K5
R8008ANJFRGTL
FQAF10N80

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