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IPAW60R600P7SE8228XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 6A TO220

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IPAW60R600P7SE8228XKSA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 363 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 21W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTP6410ANG
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RQ1A070ZPTR
IXFA3N120-TRL
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RM35N30DF
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BUK7E1R6-30E,127
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IXTP120P065T
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NTMTS0D7N04CTXG
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