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IRFW730BTM

IRFW730BTM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFW730BTM Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFW730BTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.59000 $0.59
500 $0.5841 $292.05
1000 $0.5782 $578.2
1500 $0.5723 $858.45
2000 $0.5664 $1132.8
2500 $0.5605 $1401.25
12957 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STD12N60DM6
IXTP100N15X4
IXTP100N15X4
$0 $/Stück
R6011KND3TL1
APT22F80B
SIHB5N80AE-GE3
SIHG17N60D-GE3

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