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STD12N60DM6

STD12N60DM6

STD12N60DM6

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

STD12N60DM6 Technisches Datenblatt

compliant

STD12N60DM6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.27000 $2.27
500 $2.2473 $1123.65
1000 $2.2246 $2224.6
1500 $2.2019 $3302.85
2000 $2.1792 $4358.4
2500 $2.1565 $5391.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 508 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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