Welcome to ichome.com!

logo
Heim

3N163 DIE

3N163 DIE

3N163 DIE

P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

3N163 DIE Technisches Datenblatt

nicht konform

3N163 DIE Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.36000 $2.36
500 $2.3364 $1168.2
1000 $2.3128 $2312.8
1500 $2.2892 $3433.8
2000 $2.2656 $4531.2
2500 $2.242 $5605
10000 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50mA
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -6.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Koffer Die
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

R6011KND3TL1
APT22F80B
SIHB5N80AE-GE3
SIHG17N60D-GE3
IXTY08N100P
IXTY08N100P
$0 $/Stück
RS1G120MNTB

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.