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IPB024N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

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IPB024N10N5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.73396 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 183µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10200 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7
Paket / Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Zugehörige Teilenummer

BSP296L6433
SCTWA90N65G2V-4
NTTFS3D7N06HLTWG
NTTFS3D7N06HLTWG
$0 $/Stück
DMP31D0U-7
NDS9410A
IRF1405PBF
IXFH22N65X2
IXFH22N65X2
$0 $/Stück

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