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IXFH22N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO247

IXFH22N65X2 Technisches Datenblatt

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IXFH22N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
60 $3.96000 $237.6
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN5R5-60YS,115
STL10N60M6
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$0 $/Stück
PMPB12R7EPX
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$0 $/Stück
DMN13H750S-13
3LP01SS-TL-E
3LP01SS-TL-E
$0 $/Stück
MCU18P10Y-TP

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