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PJQ4401P-AU_R2_000A1

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4401P-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
4990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3228 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDMC8651
FDMC8651
$0 $/Stück
RM80N20DN
RM80N20DN
$0 $/Stück
NTP85N03G
NTP85N03G
$0 $/Stück
FDB12N50FTM-WS
FDB12N50FTM-WS
$0 $/Stück
PMG45UN,115
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$0 $/Stück

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