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IPB60R070CFD7ATMA1

IPB60R070CFD7ATMA1

IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2

compliant

IPB60R070CFD7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.76000 $7.76
500 $7.6824 $3841.2
1000 $7.6048 $7604.8
1500 $7.5272 $11290.8
2000 $7.4496 $14899.2
2500 $7.372 $18430
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 15.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 760µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2721 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RM80N20DN
RM80N20DN
$0 $/Stück
NTP85N03G
NTP85N03G
$0 $/Stück
FDB12N50FTM-WS
FDB12N50FTM-WS
$0 $/Stück
PMG45UN,115
PMG45UN,115
$0 $/Stück
SI4896DY-T1-GE3

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