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IPB051NE8NG

IPB051NE8NG

IPB051NE8NG

N-CHANNEL POWER MOSFET

IPB051NE8NG Technisches Datenblatt

compliant

IPB051NE8NG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.52000 $1.52
500 $1.5048 $752.4
1000 $1.4896 $1489.6
1500 $1.4744 $2211.6
2000 $1.4592 $2918.4
2500 $1.444 $3610
775 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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