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IPB107N20NAATMA1

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MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

compliant

IPB107N20NAATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $4.60810 -
2,000 $4.43744 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.7mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMN2029UVT-13
NTTFS015N04CTAG
NTTFS015N04CTAG
$0 $/Stück
FQPF45N15V2
FQPF45N15V2
$0 $/Stück
AUIRF1404
STF13NK50Z
STF13NK50Z
$0 $/Stück
PMN52XPX
PMN52XPX
$0 $/Stück
MMBF170LT1G
MMBF170LT1G
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