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PJF2NA1K_T0_00001

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1000V N-CHANNEL MOSFET

nicht konform

PJF2NA1K_T0_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.06000 $1.06
500 $1.0494 $524.7
1000 $1.0388 $1038.8
1500 $1.0282 $1542.3
2000 $1.0176 $2035.2
2500 $1.007 $2517.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 385 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ITO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

MMBF170LT1G
MMBF170LT1G
$0 $/Stück
IRFPE40PBF
IRFPE40PBF
$0 $/Stück
STU2N62K3
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$0 $/Stück
IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV
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NTD4806N-35G
NTD4806N-35G
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