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IRFPE40PBF

IRFPE40PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

IRFPE40PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFPE40PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.97000 $3.97
25 $3.19280 $79.82
100 $2.90900 $290.9
500 $2.35554 $1177.77
1,000 $1.98660 -
2,500 $1.88727 -
5,000 $1.81632 -
541 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STU2N62K3
STU2N62K3
$0 $/Stück
IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV
$0 $/Stück
NTD4806N-35G
NTD4806N-35G
$0 $/Stück
STB30NF10T4
STD3NK50ZT4
FDD26AN06A0

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