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NTD4806N-35G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

nicht konform

NTD4806N-35G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
46050 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 11.5V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2142 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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