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IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

IRF830ASPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF830ASPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.30000 $2.3
500 $2.277 $1138.5
1000 $2.254 $2254
1500 $2.231 $3346.5
2000 $2.208 $4416
2500 $2.185 $5462.5
806 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FSS163-TL-E
FSS163-TL-E
$0 $/Stück
DMN10H170SK3-13
FQP9P25
FQP9P25
$0 $/Stück
FQP6P25
SIE810DF-T1-E3
IRFF221
IRFF221
$0 $/Stück

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