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FQP6P25

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MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3

FQP6P25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQP6P25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
127334 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 780 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIE810DF-T1-E3
IRFF221
IRFF221
$0 $/Stück
SI4164DY-T1-GE3
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/Stück
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/Stück
SISS32DN-T1-GE3
IRFP3306PBF

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