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SISS32DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

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SISS32DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.61500 -
6,000 $0.58613 -
15,000 $0.56550 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1930 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

IRFP3306PBF
CSD19538Q3AT
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
$0 $/Stück
SIHFB20N50K-E3
NTD4815NT4G
NTD4815NT4G
$0 $/Stück
DMP32D4SW-7
APT20M38SVRG
NTMS4917NR2G
NTMS4917NR2G
$0 $/Stück

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