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IRFF221

IRFF221

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF221 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFF221 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
900 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer TO-205AF Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

SI4164DY-T1-GE3
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/Stück
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/Stück
SISS32DN-T1-GE3
IRFP3306PBF
CSD19538Q3AT
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
$0 $/Stück

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