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IPB180N03S4LH0ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

compliant

IPB180N03S4LH0ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.96335 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

RTQ045N03HZGTR
FCD9N60NTM
FCD9N60NTM
$0 $/Stück
IRF530PBF
IRF530PBF
$0 $/Stück
BUK9Y153-100E,115
IRFR120NPBF
IXTA200N055T2-TRL
IXTA200N055T2-TRL
$0 $/Stück
SI7414DN-T1-E3

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