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IPB180N04S4H0ATMA1

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IPB180N04S4H0ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

compliant

IPB180N04S4H0ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.53694 -
2,000 $1.43095 -
5,000 $1.37795 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 180µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17940 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFN7110TR
SFU9220TU
GAN041-650WSBQ
FDD9409-F085
FDD9409-F085
$0 $/Stück
IXFH120N15P
IXFH120N15P
$0 $/Stück
STP3LN80K5
STP3LN80K5
$0 $/Stück
IRFZ20PBF
IRFZ20PBF
$0 $/Stück
SIJ482DP-T1-GE3
BF5020WH6327

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