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IPB65R099C6ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK

compliant

IPB65R099C6ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.84661 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 99mOhm @ 12.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 127 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2780 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQPF65N06
FQPF65N06
$0 $/Stück
PSMN3R2-30YLC,115
APT50N60JCU2
IPSH6N03LB G
SPI80N08S2-07
2N7002-13-F-79
IXFK55N50
IXFK55N50
$0 $/Stück
IRF6810STRPBF
IRLR7811WPBF

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