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IPB65R310CFDAATMA1

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MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK

compliant

IPB65R310CFDAATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.49850 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 440µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1110 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104.2W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMJS1D2N04CLTWG
NTMJS1D2N04CLTWG
$0 $/Stück
FDA20N50
SI2325DS-T1-GE3
IRF1104PBF
CSD18536KTT
CSD18536KTT
$0 $/Stück
STQ1NK80ZR-AP
NTMFS4837NT1G
NTMFS4837NT1G
$0 $/Stück

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