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3N164 DIE

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P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

3N164 DIE Technisches Datenblatt

compliant

3N164 DIE Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.22000 $1.22
500 $1.2078 $603.9
1000 $1.1956 $1195.6
1500 $1.1834 $1775.1
2000 $1.1712 $2342.4
2500 $1.159 $2897.5
10000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50mA
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 300Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -6.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Koffer Die
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Zugehörige Teilenummer

STU3LN80K5
STU3LN80K5
$0 $/Stück
NTBLS1D7N08H
NTBLS1D7N08H
$0 $/Stück
FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102
$0 $/Stück
SIR882DP-T1-GE3
STWA88N65M5
FDMC6296
SUD50P08-25L-BE3

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