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STU3LN80K5

STU3LN80K5

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MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK

STU3LN80K5 Technisches Datenblatt

compliant

STU3LN80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.16000 $1.16
10 $1.02300 $10.23
100 $0.80850 $80.85
500 $0.62700 $313.5
1,000 $0.49500 -
3,000 $0.46200 -
6,000 $0.43890 -
2827 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.25Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 102 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251)
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

NTBLS1D7N08H
NTBLS1D7N08H
$0 $/Stück
FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102
$0 $/Stück
SIR882DP-T1-GE3
STWA88N65M5
FDMC6296
SUD50P08-25L-BE3
STI22NM60N
STI22NM60N
$0 $/Stück

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