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IPB70P04P409ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 72A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 120µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTLUS4930NTBG
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IXFQ34N50P3
IXFQ34N50P3
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NTNUS3171PZT5G
NTNUS3171PZT5G
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SIRA80DP-T1-RE3
IRFSL7762PBF
NVMFS6H858NLT1G
NVMFS6H858NLT1G
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