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IPB80N04S2H4ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

compliant

IPB80N04S2H4ATMA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 148 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRLI540N
IRF7467PBF
IRLR3714ZPBF
R6035KNZ1C9
STB70NF3LLT4
TPIC1301DW
TPIC1301DW
$0 $/Stück
IRFU3711ZPBF
PH6030L,115
PH6030L,115
$0 $/Stück
SI4448DY-T1-E3

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