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IPB80N06S2H5ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2H5ATMA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 230µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQA13N80
IRFU3706
NVMFS6B85NLT3G
NVMFS6B85NLT3G
$0 $/Stück
PHD18NQ10T,118
PHD18NQ10T,118
$0 $/Stück
IRF540A
IRF540A
$0 $/Stück
SUM120N04-1M7L-GE3
SI1011X-T1-GE3

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