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NVMFS6B85NLT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN

compliant

NVMFS6B85NLT3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.6A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 480 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

PHD18NQ10T,118
PHD18NQ10T,118
$0 $/Stück
IRF540A
IRF540A
$0 $/Stück
SUM120N04-1M7L-GE3
SI1011X-T1-GE3
ZVP1320ASTZ
IPP65R225C7
SUP75P03-07-E3

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