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IPP65R225C7

IPP65R225C7

IPP65R225C7

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

IPP65R225C7 Technisches Datenblatt

compliant

IPP65R225C7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SUP75P03-07-E3
IRL3102PBF
IRF7534D1
IRFIBC30G
IRFIBC30G
$0 $/Stück
PHU66NQ03LT,127
PHU66NQ03LT,127
$0 $/Stück
SFW9640TM
SFW9640TM
$0 $/Stück
BSS84W-7
BSS84W-7
$0 $/Stück
BSH114,215
BSH114,215
$0 $/Stück
NTB45N06LT4G
NTB45N06LT4G
$0 $/Stück
NDT02N60ZT3G
NDT02N60ZT3G
$0 $/Stück

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