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IPB80N06S407ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S407ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.58530 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IPP086N10N3G
FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/Stück
STB30NM60ND
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/Stück
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/Stück
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/Stück

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